[发明专利]用于高温低压力环境的细长的容性耦合的等离子体源有效
申请号: | 201480045378.1 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN105474362B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | J·C·福斯特;J·约德伏斯基;G·K·邝;T·T·恩戈;K·格里芬;K·S·柯林斯;柳韧 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了一种用于处理腔室的模块化等离子体源组件。所述组件包括RF热电极且具有邻接电极的侧而定位的端部电介质和滑动式接地连接件。密封箔将滑动式接地连接件连接至外壳以提供接地的滑动式接地连接件,所述接地的滑动式接地连接件通过端部电介质与热电极分开。同轴馈送线穿过导管而进入与处理环境隔离的RF热电极,使得当等离子体处理区域处于减小的压力下时,同轴RF馈送线处于大气压力下。 | ||
搜索关键词: | 接地连接件 滑动式 热电极 电介质 接地 馈送线 同轴 等离子体处理区域 等离子体源组件 等离子体源 低压力环境 处理环境 处理腔室 大气压力 容性耦合 组件包括 密封箔 模块化 电极 邻接 导管 减小 穿过 隔离 | ||
【主权项】:
1.一种模块化等离子体源组件,所述模块化等离子体源组件包含:细长的外壳,所述细长的外壳具有侧壁、电气接地正面以及气体容积;细长的RF热电极,所述细长的RF热电极在所述外壳内,所述细长的RF热电极具有正面、背面、细长的侧以及限定细长轴的第一端与第二端,所述细长的RF热电极与所述正面间隔开以在所述RF热电极的正面与所述细长的外壳的正面之间形成间隙;端部电介质,所述端部电介质与所述RF热电极的所述第一端和所述第二端中的每一端都接触,并且在所述RF热电极与所述侧壁之间;滑动式接地连接件,所述滑动式接地连接件定位在所述RF热电极的所述第一端和所述第二端中的一者或更多者处且与所述端部电介质相对,所述滑动式接地连接件通过所述端部电介质来隔离与所述RF热电极的直接接触;密封箔,所述密封箔定位在每一个滑动式接地连接件处且与所述端部电介质相对,所述密封箔在所述细长的外壳的正面与所述滑动式接地连接件之间形成电气连接;以及同轴RF馈送线,所述同轴RF馈送线穿过所述细长的外壳,所述同轴RF馈送线包括由绝缘体分开的外导体和内导体,所述外导体与电气接地连通,并且所述内导体与所述细长的RF热电极电气连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造