[发明专利]氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管元件有效
| 申请号： | 201480045490.5 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN105453272B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 笘井重和;柴田雅敏;川岛绘美;矢野公规;早坂紘美 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/06;H01L29/22;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 洪秀川 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 肖特基势垒二极管 元件 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管元件，其具有硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且所述氧化物半导体层包含具有3.0eV以上且5.6eV以下的带隙的多晶和/或非晶质的氧化物半导体。
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