[发明专利]贴合晶圆的制造方法

摘要

本发明涉及一种贴合晶圆的制造方法，其使用具有切口部的晶圆作为接合晶圆和基底晶圆，在离子注入时，设定进行离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者，使得在接合晶圆的剥离时，使已贴合的接合晶圆和基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置，位于从接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内。由此，能提供一种贴合晶圆的制造方法，在利用离子注入剥离法来形成SOI层等薄膜时，能够降低在刚剥离后的薄膜表面上所产生的巨大断层缺陷的可能性。

主权项

1.一种贴合晶圆的制造方法，其由接合晶圆的表面对氢离子、稀有气体离子或这些离子的混合气体离子进行离子注入，在晶圆内部形成离子注入层，再将所述接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合后，利用热处理炉来进行已贴合的晶圆的剥离热处理，由此在所述离子注入层使所述接合晶圆剥离而形成贴合晶圆，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于：是使用具有切口部的晶圆作为所述接合晶圆和所述基底晶圆，在所述离子注入时，设定进行所述离子注入的离子注入机和离子注入条件中的任一者或两者，使得在所述接合晶圆的剥离时，已贴合的所述接合晶圆和所述基底晶圆的任一者或两者的切口部的位置，位于从所述接合晶圆的剥离开始位置起0±30度或180±30度的范围内的方法，作为所述离子注入机和所述离子注入条件中的任一者或两者的设定，从以下(1)～(3)中选择一项以上进行：(1)在所述离子注入时，以下述方式将所述接合晶圆配置于所述离子注入机：使所述接合晶圆的切口部的位置或切口部的位置+180度的位置，成为因所述进行离子注入的离子注入机和离子注入条件而导致特定离子注入损伤在接合晶圆面内相对较大的位置；(2)在所述离子注入时，相较于其它位置的离子注入量，增加所述接合晶圆的切口部的位置或切口部的位置+180度的位置的离子注入量；(3)在所述离子注入时，将所述接合晶圆配置于散热座上，且使所述接合晶圆的切口部的位置或切口部的位置+180度的位置，与在离子注入时的所述散热座的热传导在所述接合晶圆面内相对较低的位置一致。