[发明专利]具有冷却真空密闭体的热壁反应器有效
申请号: | 201480046535.0 | 申请日: | 2014-07-18 |
公开(公告)号: | CN105493230B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 乔尔·M·休斯顿;阿伦·库瓦尔齐;迈克尔·P·卡拉津;约瑟夫·尤多夫斯凯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中,用于处理基板的设备包含室主体,该室主体封闭处理空间,该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖,其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路;加热板,该加热板与该室地板相邻且间隔开来设置;套管,该套管与该室壁相邻且间隔开来设置,该套管由该加热板而受支持;及第一密封性元件,该第一密封性元件在该室壁及该室盖间的第一界面处设置。 | ||
搜索关键词: | 具有 冷却 真空 密闭 反应器 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理基板的设备,包括:室主体,所述室主体封闭处理空间,所述室主体包括室地板、与所述室地板耦合的室壁、及与所述室壁可移除地耦合的室盖,其中所述室地板、所述室壁及所述室盖的至少一者包括用于热控制介质的流动的通路;加热板,所述加热板与所述室地板相邻且间隔开来设置;套管,所述套管与所述室壁相邻且间隔开来设置,所述套管由所述加热板而受支持,其中所述套管包括:室衬垫,所述室衬垫包括下管道,所述下管道由内壁、外壁、上壁、及下壁来界定边界;及泵送环,所述泵送环包括由网状物而结合的上凸缘及下凸缘;其中所述上凸缘由所述上壁而受支持,且所述下凸缘由所述内壁的上端而受支持,使得所述泵送环、所述外壁、及所述上壁形成上管道的边界;及第一密封性元件,所述第一密封性元件在所述室壁及所述室盖之间的第一界面处设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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