[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。可提高形成于衬底上的膜的特性。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序将形成有具有硅氮键的膜、并对膜实施了前烘的衬底搬入处理容器的工序；以前烘的温度以下的第一温度向衬底供给含氧气体的工序；和以高于所述第一温度的第二温度向衬底供给处理气体的工序。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：将衬底搬入处理容器内的工序，所述衬底形成有具有低分子量的硅氮键的膜，并对所述膜实施了前烘；以至少使所述低分子量的硅氮键的骨架结构变为氧化硅的方式，以所述前烘的温度以下的第一温度向所述衬底供给含氧气体的工序；在供给所述含氧气体的工序之后，以高于所述第一温度的第二温度向所述衬底供给处理气体的工序，所述处理气体为包含水蒸气或过氧化氢的至少任一方的气体；在供给所述处理气体的工序之后，在保持所述衬底的温度的状态下，将所述处理容器内排气直到成为低于供给所述处理气体的工序的压力的第一压力的工序；和在对所述处理容器内进行排气的工序之后，在保持所述衬底的温度的状态下供给非活性气体直到所述处理容器内成为高于所述第一压力的第二压力的工序。