[发明专利]半导体晶片的研磨方法及研磨装置有效
| 申请号： | 201480047485.8 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105474367B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 山下健儿 | 申请（专利权）人： | 胜高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/34;B24B49/03;B24B49/10;B24B49/12 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雨;李婷 |
| 地址： | 日本长崎*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具备研磨工序、测量工序、研磨条件设定工序，在所述研磨工序中借助研磨机构（1）研磨半导体晶片（W），在所述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片（W）的研磨面变成亲水面之前，借助测量机构（3）测量前述半导体晶片（W）的形状，在所述研磨条件设定工序中，借助研磨条件设定机构（51），基于前述半导体晶片（W）的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 研磨 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的研磨方法，其特征在于，/n具备研磨工序、浸泡工序、捞起工序、测量工序和研磨条件设定工序，/n在前述研磨工序中研磨半导体晶片，/n在前述浸泡工序中，将研磨后的前述半导体晶片浸泡于有机酸水溶液，/n在前述捞起工序中，在前述浸泡工序中的浸泡时间经过60分钟之前，将前述半导体晶片从前述有机酸水溶液捞起，/n在前述测量工序中，在研磨后的前述半导体晶片的研磨面变成亲水面之前，测量前述半导体晶片的形状，/n在前述研磨条件设定工序中，基于前述半导体晶片的形状的测量结果，设定前述研磨工序中的研磨条件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
