[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201480047832.7 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105518880A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杉山彻;月原政志;三好晃平;南部纱织 | 申请（专利权）人： | 优志旺电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/32 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种一边确保在发光层流动的电流向水平方向扩展一边进一步提高光提取效率的半导体发光元件。半导体发光元件为在支承基板上具有n型半导体层、p型半导体层以及形成在n型半导体层以及p型半导体层之间的发光层的结构，其具备：n侧电极，形成为底面与n型半导体层的上表面接触；反射电极，上表面与p型半导体层的底面接触，并形成在包含n侧电极形成部位的正下位置的区域；以及第1绝缘层，在n侧电极形成部位的正下位置，形成为上表面与反射电极的底面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，在支承基板上具有n型半导体层、p型半导体层、形成在上述n型半导体层以及上述p型半导体层之间的发光层，所述半导体发光元件的特征在于，具备：n侧电极，形成为底面与上述n型半导体层的上表面接触；反射电极，上表面与上述p型半导体层的底面接触，并形成在包含上述n侧电极形成部位的正下位置的区域；以及第1绝缘层，在上述n侧电极形成部位的正下位置，形成为上表面与上述反射电极的底面接触。
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