[发明专利]生产大块硅碳化物的方法

摘要

一种生产硅碳化物的方法，该方法包含提供升华炉的步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于炉壳外的加热元件、以及置于炉壳内通过绝缘物围绕的热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中的硅碳化物先驱物及置于其上部区中的硅碳化物晶种。将该热区加热以令硅碳化物先驱物升华，在硅碳化物晶种的底部表面上形成硅碳化物。本发明亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生硅碳化物材料。

主权项

1.一种形成硅碳化物的方法，包含下列步骤i)提供升华炉，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区，其中，该绝缘物包含多层纤维状热绝缘材料，该热区包含a)具有上部区、下部区及一或多个通气孔的坩埚；b)将该坩埚密封的坩埚盖；c)置于该坩埚的该下部区中的实质固态硅碳化物先驱物，其中，该实质固态硅碳化物先驱物具有多孔性；d)悬挂于该坩埚盖和该下部区之间的该坩埚的该上部区中的单独的独立式晶种模块，该晶种模块包含晶种保持器，该晶种保持器具有多个蒸汽释离开口和置于该晶种保持器内的硅碳化物晶种，该硅碳化物晶种具有顶部表面及底部表面，其中，该顶部表面曝露至该坩埚的该上部区，以及该底部表面面向该实质固态硅碳化物先驱物和该坩埚的该下部区，以及其中该多个蒸汽释离开口形成为在该晶种保持器上，如同该晶种保持器的中心轴周围的多个孔洞，该中心轴垂直于该硅碳化物晶种的该底部表面，以及该多个孔洞形成在该晶种保持器中在该硅碳化物晶种的该底部表面下方；以及e)一含有一或多个孔洞的蒸汽释离环，以及其中该蒸汽释离环置于该晶种保持器内或该晶种保持器的外侧与该坩埚之间，该孔洞的至少一者对准该坩埚的该通气孔的至少一者，ii)以至少一该加热元件加热该热区，以使该实质固态硅碳化物先驱物升华，以及iii)在该硅碳化物晶种的该底部表面上形成该硅碳化物。