[发明专利]使用硅碳化物晶种来生产大块硅碳化物的方法和器具

摘要

本文公开一种生产硅碳化物的方法。本方法包括以下步骤：提供升华炉，其包括炉壳、至少一个位于炉壳外侧的加热元件、和位于炉壳内且由绝热体包围的热区。该热区包括具有位于下区域的硅碳化物晶种前驱物、和位于上区域的硅碳化物晶种。该热区被加热以升华该硅碳化物前驱物而形成硅碳化物于该硅碳化物晶种的底面上。此外，也公开用以生产该硅碳化物的该升华炉以及产生的硅碳化物材料。

主权项

1.一种形成硅碳化物的方法，包括下列步骤：i)提供升华炉，其包括炉壳、位于该炉壳外的至少一个加热元件、和位于该炉壳内并由绝热物包围的热区，该热区包括a)坩埚，具有上区域和下区域；b)坩埚罩，密封该坩埚；c)硅碳化物前驱物，位于该坩埚的该下区域中；以及d)晶种模块，悬于该坩埚的该上区域中，该晶种模块包括硅碳化物晶种，该硅碳化物晶种具有顶面和底面，该顶面暴露于该坩埚的该上区域，该底面面向该硅碳化物前驱物，其中，该底面面向该坩埚的该下区域，该晶种模块包括有包含多个蒸气释放开口的晶种持件，其中，该多个蒸气释放开口形成孔，该孔绕着具有与该硅碳化物的该底面垂直的中心轴，且该孔形成于该硅碳化物晶种的该底面的下方的该晶种持件，ii)设置该晶种于该晶种持件内；iii)不用附着剂而将该晶种之顶表面暴露于该坩埚的该上区域，其中，该晶种模块是与该坩埚罩分开的组件；iv)使用该至少一个加热元件加热该热区，以使该硅碳化物前驱物升华；以及v)形成该硅碳化物于该硅碳化物晶种的该底面上。