[发明专利]用来生产大块硅碳化物的器具

摘要

揭露一种生产硅碳化物之方法。本方法包含提供升华炉之步骤，该升华炉包含炉壳、至少一个置于该炉壳外之加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕之热区。该热区包含坩埚，该坩埚具有置于其下部区中之硅碳化物先驱物及置于其上部区中之硅碳化物晶种。将该热区加热以令该硅碳化物先驱物升华，在该硅碳化物晶种之底部表面上形成硅碳化物。亦揭露用以生成硅碳化物的升华炉以及所产生的硅碳化物材料。

主权项

1.一种用于形成硅碳化物的升华炉，其包含炉壳、至少一个置于该炉壳外的加热元件、以及置于该炉壳内通过绝缘物围绕的热区，该热区包含/na)具有上部区及下部区的坩埚，其中，该绝缘物紧贴该上部区，但未紧贴该下部区，从而在该下部区与该绝缘物之间留下间隙；/nb)将该坩埚密封的坩埚盖，该坩埚包含一或多个通气孔；/nc)置于该坩埚的该下部区中的实质固态硅碳化物先驱物；/nd)置于该坩埚的该上部区中的晶种模块，该晶种模块包含具有至少一蒸汽释离开口的晶种保持器及置于该晶种保持器内的硅碳化物晶种，该硅碳化物晶种具有顶部表面及底部表面，其中，该硅碳化物晶种的该顶部表面由该晶种模块悬挂以曝露至该坩埚的该上部区，该硅碳化物晶种的该底部表面曝露至该坩埚的该上部区，并且该底部表面面向该实质固态硅碳化物先驱物；以及/ne)至少一含有一或多个孔洞的蒸汽释离环，其中该蒸汽释离环置于该晶种保持器的顶部，该多个孔洞的至少一者对准该坩埚的该通气孔的至少一者；/n其中该热区进一步包括蒸汽穿过该蒸汽释离开口的路径于该晶种保持器中，并且经由该坩埚中至少一该通气孔散逸，该通气孔对准该蒸汽释离环的该孔洞。/n