[发明专利]镜面研磨晶圆的制造方法

摘要

本发明是一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其除去因切片所产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的硅晶圆当中，选择要在双面研磨工序中以批次方式处理的硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在切片歪斜除去工序中已处理的硅晶圆的数量相同或其约数。由此，提供一种镜面研磨晶圆的制造方法，其能够制造平坦度良好的镜面研磨晶圆。

主权项

1.一种镜面研磨晶圆的制造方法，其对于从硅晶棒切片而成的多片硅晶圆，以批次方式分别实施下述各工序来制造多片镜面研磨晶圆，这些工序包含：切片歪斜除去工序，其用于除去因所述切片而产生的表面的歪斜；蚀刻工序，其除去在所述切片歪斜除去工序中所产生的歪斜；以及，双面研磨工序，其将所述蚀刻后的硅晶圆的双面进行镜面研磨；其特征在于，从在所述切片歪斜除去工序中的同一批次内已处理的所述硅晶圆当中，选择要在所述双面研磨工序中以批次方式处理的所述硅晶圆，且将该选择的硅晶圆的数量设定为与在所述切片歪斜除去工序中已处理的所述硅晶圆的数量相同或其约数，选择在所述切片歪斜除去工序中的1个批次或多个批次内已处理的全部所述硅晶圆，作为在所述蚀刻工序中以批次方式处理的所述硅晶圆，由此将该选择的硅晶圆的数量设定为与在所述切片歪斜除去工序中已处理的所述硅晶圆的数量相同或其倍数。