[发明专利]用于提高BEOL介电性能的硅通孔结构和方法

摘要

公开了改进的硅通孔(TSV)和制造方法。在半导体衬底上形成后段制程(BEOL)堆叠。在后段制程(BEOL)堆叠和半导体衬底中形成TSV腔体。共形保护层沿着BEOL堆叠设置在TSV腔体的内表面上，到达半导体衬底内的中间处。共形保护层用于在后续处理期间保护BEOL堆叠内的电介质层，从而提高集成电路质量和产品良率。

主权项

1.一种在半导体结构中形成硅通孔TSV的方法，所述半导体结构包括上面设置有后段制程BEOL堆叠的半导体衬底，所述方法包括：在所述半导体衬底和所述后段制程BEOL堆叠中形成TSV腔体；对所述半导体结构执行脱气工艺，其中所述脱气工艺在沉积室中执行；在所述BEOL堆叠上以及沿着所述TSV腔体的衬底部分的内表面沉积共形保护层，其中所述共形保护层使用等离子体激活的共形电介质沉积工艺来沉积，所述共形保护层延伸到所述TSV腔体内的中间处，并且所述保护层逐渐减薄至所述TSV腔体的底部以上的深度，其中在所述BEOL堆叠上沉积共形保护层是在所述沉积室中执行的；在所述共形保护层的沉积之后，在所述TSV腔体中沉积绝缘氧化物层；以及用填充金属来填充所述TSV腔体，并且其中对所述半导体结构执行脱气工艺包括：在300摄氏度至400摄氏度的范围内的工艺温度执行脱气工艺。