[发明专利]具有ESD保护的LED芯片有效

专利信息
申请号: 201480049884.8 申请日: 2014-07-10
公开(公告)号: CN105531834B 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 李剡劤;尹馀镇;金在权;李小拉;梁明学 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 在此公开了一种具有ESD保护的二极管芯片。示例性实施例提供了一种倒装芯片型发光二极管芯片,其包括在基底上对齐的发光二极管部件和设置在基底上并连接至发光二极管部件的反向并联二极管部件。在倒装芯片型发光二极管芯片内,发光二极管部件与反向并联二极管部件放置在一起,从而提供对静电放电表现强抗性的发光二极管芯片。
搜索关键词: 发光二极管部件 发光二极管芯片 反向并联二极管 倒装芯片型 基底 二极管芯片 部件放置 静电放电 对齐 抗性 表现
【主权项】:
一种倒装芯片型发光二极管芯片,包括:基底;发光二极管部件,置于所述基底上;反向并联二极管部件,置于所述基底上并连接到所述发光二极管部件;反射电极;第一电极垫和第二电极垫;以及电流扩散层,其中,所述发光二极管部件和所述反向并联二极管部件中的每个包括:第一导电型氮化物基半导体层;第二导电型氮化物基半导体层;有源层,置于所述第一导电型氮化物基半导体层和所述第二导电型氮化物基半导体层之间,其中,反射电极置于所述发光二极管部件的所述第二导电型氮化物基半导体层上,其中,第一电极垫置于所述反射电极上且置于所述发光二极管部件上,第二电极垫置于所述发光二极管部件和所述反向并联二极管部件上方,其中,电流扩散层置于所述反射电极和所述第一电极垫之间,并且电连接到所述发光二极管部件的所述第一导电型氮化物基半导体层和所述反向并联二极管部件的所述第二导电型氮化物基半导体层,其中,所述电流扩散层与所述反射电极绝缘。
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