[发明专利]磁光材料及其制造方法、以及磁光设备有效
申请号: | 201480050028.4 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN105531619B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 碇真宪 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G02B27/28 | 分类号: | G02B27/28;C30B29/22;C30B29/32;G02F1/09 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供透明的磁光材料,其包含含有由下述式(1)表示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或由下述式(1)表示的复合氧化物的单晶,波长1064nm下的维尔德常数为0.14分钟/(Oe·cm)以上,不会吸收波段0.9~1.1μm的光纤激光,也不引起热透镜的产生,维尔德常数比TGG结晶大,适合构成光隔离器等的磁光设备。Tb2R2O7(1)(式中,R为选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素(不过,对于硅、锗及钽,不包括为该元素单独的情形)。)。 | ||
搜索关键词: | 材料 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】:
1.磁光材料,其特征在于,为由下述式(1)表示的复合氧化物构成的烧结体,Tb2R2O7 (1)式中,R为选自硅、锗、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素,其中,对于硅、锗及钽,不包括单独为硅元素、单独为锗元素及单独为钽元素的情形,所述磁光材料包含由其粉末X射线衍射结果算出的烧绿石化率在所述式(1)中的R为锆单独的情况下为51.5%以上、R为其以外的情况下为97.3%以上的透明陶瓷,所述磁光材料在波长1064nm下的维尔德常数为0.14分钟/(Oe·cm)以上。
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