[发明专利]通过选择性沉积形成的超薄金属线有效
| 申请号： | 201480050162.4 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105531812B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李俊涛;杨智超;殷允朋 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 开曼群岛(*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明的实施例总体上涉及集成电路的制备，并且更具体地，涉及用于使用选择性沉积工艺在开口中制备一对超薄金属线的结构和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 选择性 沉积 形成 超薄 金属线 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：在设在电介质材料内的开口内和所述电介质材料的水平上表面上形成共形衬垫层；从所述开口的底部和所述水平上表面移除所述共形衬垫层，以沿着所述开口的侧壁形成一对衬垫区；在所述电介质材料中所形成的所述开口中形成一对金属线，其中该对金属线的第一金属线直接与该对衬垫区中一个衬垫区的侧壁表面相接触，并且该对金属线的第二金属线直接与该对衬垫区中的另一个衬垫区的侧壁表面相接触；以及在所述开口中并在该对金属线的侧壁表面上形成中心区，其中每个金属线的最底面与每个衬垫区、所述中心区以及所述电介质材料的最底面共面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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