[发明专利]黑色氮氧化钛粉末及使用其的半导体封装用树脂化合物在审
申请号: | 201480050748.0 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN105531318A | 公开(公告)日: | 2016-04-27 |
发明(设计)人: | 影山谦介;石黑茂树 | 申请(专利权)人: | 三菱材料电子化成株式会社 |
主分类号: | C08L63/00 | 分类号: | C08L63/00;C01G23/00;C08K3/28;C08K9/06;C08L101/00;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 朴圣洁;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的用于半导体封装用树脂化合物的黑色氮氧化钛粉末的表面被厚度为2.5~12nm的二氧化硅薄膜包覆。并且,在以5MPa的压力进行压制的压坯的状态下,黑色氮氧化钛粉末的体积电阻率为1×105Ω·cm以上。而且,黑色氮氧化钛粉末在CIE1976L*a*b*颜色空间(测定用光源C:色温6774K)中的亮度指数L*值为14以下。 | ||
搜索关键词: | 黑色 氧化 粉末 使用 半导体 封装 树脂 化合物 | ||
【主权项】:
一种黑色氮氧化钛粉末,其用于半导体封装用树脂化合物,其中该黑色氮氧化钛粉末具备黑色氮氧化钛的粉末母体及包覆该粉末母体表面的厚度为2.5~12nm的二氧化硅薄膜,在以5MPa的压力压制的压坯的状态下的体积电阻率为1×105Ω·cm以上,并在CIE 1976 L*a*b*颜色空间中的亮度指数L*值为14以下,其中测定用光源C:色温6774K。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱材料电子化成株式会社,未经三菱材料电子化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480050748.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。