[发明专利]衬底背面纹理

摘要

描述的实施方案涉及用于减小光刻变形的方法和设备。可以将半导体衬底的背面纹理化。接着可以对具有经纹理化的背面的半导体衬底进行光刻工艺。为了改善变形均匀性，并且可能地，提高套刻性能，可以将接触卡盘销的半导体衬底的背面表面纹理化，以产生由于在卡盘上的晶片滑动而导致的更均匀的晶片变形。将半导体衬底的背面纹理化，以产生较小的摩擦系数，这提高了在扫描仪夹持期间整个半导体衬底背面的滑动均匀性。

主权项

1.一种用于确定在光刻工具上加工的半导体衬底的背面纹理的方法，包括：确定所述光刻工具上的用于所述半导体衬底的一个或更多个接触区域；至少部分地基于以下来确定所述半导体衬底的背面表面纹理：所述半导体衬底在所述半导体衬底的一个或更多个部分处的背面特征的频率，在所述半导体衬底的所述一个或更多个部分处的所述背面特征的幅度，或者所述一个或更多个接触区域的尺寸；以及加工所述半导体衬底以获得目标背面表面纹理，所述目标背面表面纹理使所述衬底与所述一个或更多个接触区域之间的摩擦系数减小，所述目标背面表面纹理包括以所述一个或更多个接触区域的宽度的1/5至1/10为周期出现的背面特征。