[发明专利]用于利用循环蚀刻工艺对蚀刻停止层进行蚀刻的方法有效
| 申请号： | 201480051104.3 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105556643B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | M-M·凌;S·康;J·T·彭德;S·D·耐马尼;B·J·霍华德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于使用循环蚀刻工艺对设置在基板上的蚀刻停止层进行蚀刻的方法。在一个实施例中，用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法包括以下步骤：通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺，所述基板具有设置在所述基板上的所述氮化硅层；以及通过将化学蚀刻气体混合物供应至处理腔室来对所述基板执行化学蚀刻工艺，其中化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮，其中化学蚀刻工艺蚀刻所述经处理的氮化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 利用 循环 蚀刻 工艺 停止 进行 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于对蚀刻停止层进行蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：(a)通过将处理气体混合物供应至处理腔室中以处理氮化硅层来对基板执行处理工艺，所述基板具有设置在所述基板上的所述氮化硅层；(b)通过将化学蚀刻气体混合物供应至所述处理腔室中以对所述基板执行化学蚀刻工艺，其中所述化学蚀刻气体混合物至少包括氨气和三氟化氮，其中所述化学蚀刻工艺蚀刻所述经处理的氮化硅层；以及重复地执行步骤(a)‑步骤(b)以蚀刻所述氮化硅层，直到位于下方的基板被暴露为止。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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