[发明专利]用于稳定蚀刻后界面以使下一处理步骤之前的队列时间问题最小化的方法有效
| 申请号： | 201480051107.7 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105745740B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | S·D·耐马尼;P·古帕拉加;T·越泽 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 黄嵩泉<国际申请>=PCT/US2014 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于使用低温蚀刻工艺以及后续的界面保护层沉积工艺来蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括以下步骤：将基板转移至蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；对电介质阻挡层执行处理工艺；在供应至蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的经处理电介质阻挡层；对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 稳定 蚀刻 界面 使下一 处理 步骤 之前 队列 时间 问题 最小化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法，所述方法顺序地包含以下步骤：/n将基板转移到蚀刻处理腔室中，所述基板具有设置在所述基板上的电介质阻挡层；/n对所述电介质阻挡层的被暴露表面执行等离子体处理工艺，以将所述电介质阻挡层活化成激发态，从而促进所述电介质阻挡层的去除；/n在供应至所述蚀刻处理腔室中的蚀刻气体混合物中远程地生成等离子体以蚀刻设置在所述基板上的经处理的所述电介质阻挡层；/n对所述电介质阻挡层进行等离子体退火以将所述电介质阻挡层从所述基板去除；以及/n在将所述电介质阻挡从所述基板去除之后，形成界面保护层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
