[发明专利]n型氮化铝单晶基板以及垂直型氮化物半导体器件有效
| 申请号： | 201480051383.3 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105658848B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 木下亨;小幡俊之;永岛彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01L29/201;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 吕琳,朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种使用掺杂Si的n型氮化铝单晶基板的垂直型半导体二极管。一种在n型氮化铝单晶基板的表面上具备欧姆电极层的垂直型的氮化物半导体器件，其特征在于，所述n型氮化铝单晶基板的Si含量是3×1017～1×1020cm‑3、位错密度是106cm‑2以下，并且所述欧姆电极层形成于所述n型氮化铝单晶基板的N极性面侧。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶基板 以及 垂直 氮化物 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种垂直型氮化物半导体器件，在Si含量是3×1017～1×1020cm‑3、位错密度是106cm‑2以下、并且厚度是50～500μm的n型氮化铝单晶基板的上下主面具备电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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