[发明专利]通过化学气相渗透制作的陶瓷基质复合物及其制造方法有效
| 申请号： | 201480051694.X | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105531243B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | K.L.卢斯拉;G.S.科曼;B.N.拉马穆蒂 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B41/45;C04B35/00;C04B38/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 刘林华,谭祐祥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容涉及通过化学气相渗透制作的陶瓷基质复合物、制作陶瓷基质复合物的方法，以及用于热气体通路中的陶瓷基质复合物涡轮构件。提供了一种制造陶瓷基质复合物的方法，其可包括以下步骤(i)在期望形状的陶瓷基质复合物预形件中形成多个孔；以及(ii)通过化学气相渗透过程使预形件致密化来形成基质的一部分或大部分。还提供了一种可用于热燃烧气体中的陶瓷基质复合物，其根据本文所述的前述陶瓷基质复合物制造方法制作。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 化学 渗透 制作 陶瓷 基质 复合物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造陶瓷基质复合物的方法，所述方法包括：提供期望形状的陶瓷基质复合物预形件，具有限定所述预形件的厚度的第一面和相对的第二面；在所述预形件中形成部分地和/或完全地延伸穿过预形件的厚度的多个孔；以及通过化学气相渗透过程使所述预形件致密化来形成基质的一部分或大部分；其中，所述孔的局部体积分数在所述预形件的表面区域上从0.1％到30％变化。
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