[发明专利]碳化硅单晶晶片的内应力评价方法和碳化硅单晶晶片的翘曲预测方法有效
| 申请号： | 201480051759.0 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105556649B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 小岛清;中林正史;下村光太;永畑幸雄 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金高新材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;C30B23/06;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供评价碳化硅(SiC)单晶晶片的内应力的方法、以及评价晶片的内应力来预测研磨完成后的SiC单晶晶片的翘曲的方法。在SiC单晶晶片面内的两点测定拉曼散射光的波数位移量，通过其差量来评价内应力。另外，翘曲的预测方法是事前预测利用升华再结晶法制造的碳化硅单晶晶片的翘曲的方法，使用所述的评价指标来预测SiC单晶晶片的翘曲。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 晶片 内应力 评价 方法 预测 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶晶片的内应力评价方法，使用在碳化硅单晶晶片的主面内的两点测定到的拉曼位移值的差量来进行评价，所述碳化硅单晶晶片是从采用升华再结晶法制造的碳化硅单晶锭切取的，使用在中心测定到的拉曼位移值(A)与在外周部测定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A‑B)来进行评价。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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