[发明专利]硅纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201480052091.1 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105555705B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 尹明汉;李世宁 | 申请（专利权）人： | 光州科学技术院 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 谢鑫;肖冰滨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于硅基板上；在所述塑料粒子之间形成催化剂层；除去所述塑料粒子；垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位；及除去所述催化剂层。根据本发明，工艺简单，费用低，通过大面积工艺能够实现批量生产，在资源有限的地方也能够制备纳米线，可以独立控制纳米线的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于形成有层状自组装聚合物层的硅基板上；通过对形成于所述硅基板上的所述层状自组装聚合物层进行氧等离子体处理，除去所述塑料粒子之间的所述层状自组装聚合物层；在所述塑料粒子之间形成催化剂层；除去所述塑料粒子；通过湿蚀刻工艺，垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位；及除去所述催化剂层，其中，所述硅纳米线阵列的密度通过控制所述塑料粒子之间的间隔来调节，其中，所述层状自组装聚合物层通过交替进行在所述硅基板上涂布阳离子聚电解质溶液的工艺和涂布阴离子聚电解质溶液的工艺而成。
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