[发明专利]热处理方法在审
| 申请号： | 201480052178.9 | 申请日： | 2014-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN105580119A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 加藤正弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/22;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种热处理方法，其将多片半导体晶圆各自水平载置于以碳化硅覆盖的支撑构件上，并在纵型热处理炉内实行高温热处理，其中，该热处理方法的特征在于，将所述支撑构件，在第一条件或第二条件中任一种条件的高温热处理中持续使用了一定期间后，在所述第一条件和第二条件中的另一种条件的高温热处理中持续使用一定期间，以此方式将所述支撑构件与热处理条件切换来进行热处理；并且，所述第一条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有稀有气体且不含有氧气的氛围下进行的热处理；所述第二条件的高温热处理，是以1000℃以上的温度，在含有氧气且不含有稀有气体的氛围下进行的热处理。由此，能够抑制滑移位错。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 | ||
【主权项】：
一种热处理方法，其将多片半导体晶圆各自水平载置于以碳化硅覆盖的支撑构件上，并在纵型热处理炉内实行热处理，其中，该热处理方法的特征在于，将所述支撑构件，在第一条件或第二条件中的任一种条件的热处理中持续使用了一定期间后，在所述第一条件和第二条件中的另一种条件的热处理中持续使用特定期间，以此方式将所述支撑构件与热处理条件切换来进行热处理；并且，所述第一条件的热处理，是以1000℃以上的温度，在含有稀有气体且不含有氧气的氛围下进行的热处理；所述第二条件的热处理，是以1000℃以上的温度，在含有氧气且不含有稀有气体的氛围下进行的热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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