[发明专利]具有发光二极管的光电子器件有效
| 申请号： | 201480053827.7 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105594000B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多夫·布维尔;埃尔文·多内尔;泽维尔·于翁;卡洛·卡利 | 申请（专利权）人： | 艾利迪公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L29/772;H01L29/06;H01L33/18;H01L33/24;H01L27/06;H01L33/14;H05B33/00;H05B33/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;任庆威 |
| 地址： | 法国格*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种光电子器件(5)，包括：半导体衬底(10)，其可选地掺杂有第一导电类型；第一半导体区(14)，其电连接到掺杂有第一导电类型或相反的第二导电类型的衬底，并且比所述衬底掺杂更重；在所述第一半导体区上存在的第一发光二极管(DEL)的第一集合(A)，所述第一发光二极管包括线形、圆锥形或尖椎形的半导体元件；以及与所述第一半导体区相接触的导电部分(36)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 发光二极管 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种光电子器件(5)，包括：半导体硅衬底(10)，其没有掺杂或掺杂有第一导电类型；第一导电类型的或与第一类型相反的第二导电类型的、并且比所述衬底掺杂更重的第一掺杂半导体硅区(14；141、142)，所述第一掺杂半导体硅区电连接到所述衬底，在所述衬底的内部或在与所述衬底相接触的所述衬底的顶部上延伸，所述第一掺杂半导体硅区包括表面(12)；种子垫(16)，其与所述第一掺杂半导体硅区相接触，使得所述种子垫(16)倚靠在所述表面(12)上；由所述第一掺杂半导体硅区支撑的第一发光二极管(DEL；DEL1、DEL2)的第一组件(A；A1、A2)，所述第一发光二极管包括具有线形、圆锥形或尖椎形的由III‑V化合物制成的半导体元件并且与所述种子垫物理相接触；以及与所述第一掺杂半导体硅区物理相接触的导电部分(36；361、362)，使得所述导电部分倚靠在所述表面(12)上。
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