[发明专利]除草化合物在审

专利信息
申请号: 201480055222.1 申请日: 2014-10-02
公开(公告)号: CN105636439A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: M·费德特;R·索纳韦恩;J·A·莫里斯;J·E·波赫米尔;T·R·戴森;S·E·拉塞尔;K·凌;A·J·亨尼西;M·B·霍特森;A·朗斯塔夫;C·J·拉塞尔;J·古德温-廷达尔 申请(专利权)人: 先正达参股股份有限公司;先正达有限公司
主分类号: A01N43/50 分类号: A01N43/50;A01N43/90;A01N53/00;A01P13/00;C07D401/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 张敏
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及具有化学式(I)的吡咯酮化合物其中X、R1、R2、R3、Ra、Rb、Rc以及Rd是如在说明书中所定义的。此外,本发明涉及用于制备具有化学式(I)的化合物的方法和中间体,涉及包含这些化合物的除草组合物并且涉及使用这些化合物控制植物生长的方法。
搜索关键词: 除草 化合物
【主权项】:
一种具有化学式(I)的除草化合物其中X选自S和O;Ra选自氢和卤素;Rb选自氢,卤素,C1‑C4烷基,C2‑C4烯基,C1‑C4卤代烷基,C1‑C6烷氧基,C2‑C4烯氧基,C2‑C4炔氧基,C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基,C1‑C4卤代烷氧基,C1‑C3烷氧基‑C1‑C3烷氧基,C1‑C4烷硫基,C1‑C4烷基亚磺酰基,C1‑C4烷基磺酰基,基团R5R6N‑,基团R5C(O)N(R6)‑,基团R5S(O2)N(R6)‑,基团R5R6NSO2‑,基团R5R6NC(O)‑,任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的芳基,任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的芳氧基以及任选地被一个或多个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的杂芳基;Rc选自氢,卤素,C1‑C8烷基,C1‑C6卤代烷基,C2‑C8烯基,C1‑C6氰基烷基,C1‑C6烷氧基,C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基,C1‑C6羟基烷基,C2‑C6烯氧基C1‑C6烷基以及任选地被从1至3个独立地选自氰基、C1‑C3烷基和C1‑C3烷氧基的基团取代的C3‑C6环烷基;Rd选自氢、卤素、氰基、C1‑C6烷基以及C1‑C6卤代烷基;R1选自氢、羟基、C1‑C4烷基、C2‑C4烯基、C2‑C4炔基、C1‑C4氰基烷基、C3‑C6环烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基以及C1‑C4卤代烷基,并且R2选自氢、羟基、C1‑C4烷基、C2‑C4烯基、C1‑C4烷氧基、C2‑C4烯氧基、C2‑C4炔氧基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷氧基、C1‑C4羟基烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C3卤代烷氧基以及C1‑C4氰基烷基,附带条件是当R1是甲基时,R2不是H;或R1和R2连同它们附接的氮和碳原子一起形成3‑7元饱和或部分不饱和环,该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自羟基、=O、C1‑C6烷基和C1‑C6卤代烷基的基团取代。R3选自卤素、羟基、‑NR14R15或以下基团中的任一个R5和R6独立地选自氢、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C6氰基烷基、C2‑C6烯基、C2‑C6炔基、C1‑C6烷氧基以及C1‑C6烷氧基‑C1‑C6烷基,或R5和R6连同它们附接的碳原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环,该环任选地包括从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素和C1‑C6烷基的基团取代;R7和R8独立地选自氢,C1‑C6烷基,C1‑C6卤代烷基,C2‑C6烯基,C2‑C6炔基,任选地被1至3个独立地选自C1‑C3烷基、C2‑C4烯基、C1‑C3卤代烷基和C2‑C4卤代烯基的基团取代的C3‑C6环烷基基团,包含从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、C1‑C3烷基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3烷氧基取代的可以是单环或双环的C5‑C10杂环基基团,包含从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、C1‑C3烷基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3烷氧基的基团取代的可以是单环或双环的C5‑C10杂芳基基团,任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的C6‑C10芳基基团,任选地被1至3个独立地选自C1‑C4烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和基团‑OC(O)‑C1‑C4烷基取代的C6‑C10芳基烷基基团,或R7和R8连同它们附接的原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环,该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素和C1‑C6烷基的基团取代;R9选自C1‑C6烷基和任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的苄基;R14和R15独立地选自氢、C1‑C20烷基、C1‑C20卤代烷基、C1‑C20烷氧基、C1‑C20烷氧基‑C1‑C20烷基、C2‑C20烯基、C2‑C20炔基以及苄基,或R14和R15连同它们附接的碳原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环,该环任选地包括从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素和C1‑C6烷基的基团取代;或其N‑氧化物或盐形式。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先正达参股股份有限公司;先正达有限公司,未经先正达参股股份有限公司;先正达有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480055222.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top