[发明专利]用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法以及使用所述硅纳米线和/或纳米带的锂电池和阳极在审
| 申请号： | 201480055273.4 | 申请日： | 2014-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN105612277A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | X·孙;Y·胡;X·L·李;R·李;Q·杨 | 申请（专利权）人： | SPI公司 |
| 主分类号： | C30B29/60 | 分类号： | C30B29/60;C30B29/06;C30B33/10;H01M4/1395;H01M4/38 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 加拿大*** | 国省代码： | 加拿大;CA |
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| 摘要： | 本发明提供用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法。本发明方法是采用蚀刻剂的化学蚀刻工艺，所述蚀刻剂相对于硅相优先从多相硅合金蚀刻并去除其它相，且允许获得残余的硅纳米线和/或纳米带。在蚀刻前，所述硅合金在所述多相硅合金的微结构中包含或经处理以包含一维和/或二维硅纳米结构。当被用作二次锂电池的阳极时，通过本发明方法生的硅纳米线或纳米带展现高储存容量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 大量生产 纳米 方法 以及 使用 锂电池 阳极 | ||
【主权项】：
一种用于生产硅纳米线和/或纳米带的方法，其包括提供具有硅纳米结构相和至少一个其它相的多相硅合金；使用选择性去除所述其它相的蚀刻剂蚀刻所述多相硅合金，以形成硅纳米线和/或纳米带；去除所述蚀刻剂和被蚀刻的其它相材料；和收获剩余的硅纳米线和/或纳米带。
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