[发明专利]一种降低晶体管阵列中的寄生泄漏的方法、装置及设备

摘要

一种操作包括晶体管阵列的装置的方法，其中该装置包括：第一导体层，其限定了多个源极导体，每个源极导体与相应的晶体管组相关联，以及多个漏极导体，每个漏极导体均与相应的晶体管相关联；半导体层，其限定了在所述晶体管阵列的所述源极与漏极导体之间的半导体沟道；第二导体层，其限定了多个栅极导体，每个栅极导体均与相应的晶体管组相关联，以及一个或更多个存储电容器导体，其电容性耦接至相应的晶体管组的漏极导体的至少一部分；其中该方法包括：使用栅极导体使所述晶体管在接通和截止状态之间切换；以及使用存储电容器导体降低半导体层的一个或多个部分的导电性，所述半导体层的一个或多个部分将每个处于接通状态中的晶体管的漏极导体连接至与该晶体管相关联的源极和/或漏极导体之外的源极和/或漏极导体。

主权项

1.一种操作包括晶体管阵列的装置的方法，其中该装置包括：第一导体层，所述第一导体层限定了多个源极导体，每个源极导体与相应的晶体管组相关联，以及限定了多个漏极导体，每个漏极导体均与相应的晶体管相关联，每个漏极导体包括漏电极和连接到漏电极的焊盘导体；半导体层，所述半导体层限定了在所述晶体管阵列的源极导体与漏极导体之间的半导体沟道；第二导体层，所述第二导体层限定了多个栅极导体，每个栅极导体均与相应的晶体管组相关联，以及限定了一个或更多个存储电容器导体，所述一个或更多个存储电容器导体与相应的晶体管组的漏极焊盘的整个面积重叠；其中该方法包括：使用栅极导体来使所述晶体管在接通和截止状态之间切换；以及使用存储电容器导体来降低半导体层的一个或多个部分的导电性，所述半导体层的所述一个或多个部分将每个处于接通状态中的晶体管的漏极导体连接至与该晶体管相关联的源极和/或漏极导体之外的源极和/或漏极导体。