[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201480057453.6 | 申请日: | 2014-09-17 |
公开(公告)号: | CN105684160B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 权珍浩 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/0749;H01L31/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 达小丽;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明包括:支撑基板;布置在支撑基板上的后电极层;布置在后电极层上的光吸收层;布置在光吸收层上的前电极层;以及贯穿后电极层和光吸收层的第一贯穿沟槽,其中后电极层和光吸收层被布置以致成阶梯状。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池,包括:支撑基板;在所述支撑基板上的背电极层;在所述背电极层上的光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;在所述缓冲层上的前电极层;通过所述背电极层和所述光吸收层形成的第一通孔,以及通过所述光吸收层和所述缓冲层形成的第二通孔,其中,所述第一通孔与所述第二通孔隔开,其中,在所述背电极层和所述光吸收层之间形成阶差,其中,所述支撑基板的顶表面、所述背电极层的侧表面和所述光吸收层的侧表面通过所述第一通孔暴露,其中,所述缓冲层被布置在所述第一通孔内侧,其中,所述第一通孔部分地填充有缓冲层,其中,在所述第一通孔中的缓冲层接触通过所述第一通孔暴露的所述支撑基板的顶表面、所述背电极层的侧表面和所述光吸收层的侧表面,其中,在被填充到所述第一通孔中时形成了前电极层,其中,所述前电极被形成在所述第一通孔中形成的缓冲层的顶表面和所述第一通孔中形成的缓冲层的侧表面上。
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