[发明专利]实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻液和蚀刻方法有效
| 申请号： | 201480057455.5 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105659365B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 茂田麻里;夕部邦夫 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;C09K13/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供如下蚀刻液：在实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻中具有适合的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，且没有析出物的产生，且对布线材料的腐蚀性小到可以无视的程度。本发明中，使用如下蚀刻液：包含(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上和水，pH值为‑1～3。 | ||
| 搜索关键词： | 实质上 组成 氧化物 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻液，其为实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻中使用的蚀刻液，其包含：(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上和水，pH值为‑1～3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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