[发明专利]硅晶片用研磨液组合物有效
| 申请号： | 201480057685.1 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105659357B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 内田洋平;西田一博 | 申请（专利权）人： | 花王株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B37/04;C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘文海 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明的硅晶片用研磨液组合物含有二氧化硅粒子0.01～0.5质量％、含氮碱性化合物、及水溶性高分子，水溶性高分子包含下述通式(1)所表示的结构单元，于水溶性高分子中，源自羟基的氧原子数与源自聚氧亚烷基的氧原子数之比(源自羟基的氧原子数/源自聚氧亚烷基的氧原子数)为0.8～10。水溶性高分子优选为选自由聚缩水甘油、聚缩水甘油衍生物、聚甘油、聚甘油衍生物、以聚乙烯醇为侧链的聚乙烯醇‑聚乙二醇接枝共聚物所组成的组中的至少1种。 |
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| 搜索关键词： | 晶片 研磨 组合 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶片用研磨液组合物，其含有二氧化硅粒子0.07～0.5质量％、含氮碱性化合物及水溶性高分子，所述水溶性高分子包含下述通式(1)所表示的结构单元，于所述水溶性高分子中，源自羟基的氧原子数与源自聚氧亚烷基的氧原子数之比以源自羟基的氧原子数/源自聚氧亚烷基的氧原子数计为0.8～10，所述二氧化硅粒子与所述水溶性高分子的质量比以所述二氧化硅粒子的质量/所述水溶性高分子的质量计为3以上且38以下，![]()
其中，所述通式(1)中，R1为亚甲基或键合键，R2、R3、R4、R5分别独立地为氢原子、羟基、‑CH2OH或聚乙烯醇，但R2、R3、R4、R5各自不全部同时为氢原子、羟基、或‑CH2OH。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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