[发明专利]缓和应力的无定形SiO2中间层

摘要

一种在III‑N层和硅衬底之间形成REO介电层和无定形Si层的方法。该方法包括在衬底上沉积单晶REO。单晶REO在邻近衬底处具有与衬底的晶格常数匹配的晶格常数，并且在邻近上表面处具有与选择的III‑N材料匹配的晶格常数。在REO上形成无定形Si均匀层。在外延生长所需的温度下在无定形Si层上沉积第二层REO，所述外延生长所需的温度使无定形Si层结晶并且在将第一层REO的被选III‑N材料的晶格常数转移至第二层REO后将晶体硅转化为无定形硅，并且被选III‑N材料的单晶层被沉积在第二层REO上。

主权项

1.一种在半导体材料层和硅衬底之间形成无定形二氧化硅层和多个REO介电层的方法，所述方法包括如下步骤：提供晶体硅衬底；在所述硅衬底上沉积第一层单晶稀土氧化物；在所述第一层稀土氧化物上沉积均匀的无定形硅层；在所述无定形硅层上沉积第二层稀土氧化物，沉积所述第二层稀土氧化物的步骤包括：使得所述衬底的温度骤变至外延生长所需的温度，并且使得所述第二层稀土氧化物外延生长，所述外延生长所需的温度使得所述无定形硅层发生结晶，以形成晶化硅层；和氧化所述晶体硅，以将所述晶体硅转化为无定形二氧化硅。