[发明专利]光电转换装置

摘要

提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。

主权项

1.一种光电转换装置，其特征在于，具备：半导体基板；具有第1导电类型的第1半导体层；与所述第1导电类型相反的第2导电类型的第2半导体层；形成于所述第1半导体层上的第1电极；以及形成于所述第2半导体层上的第2电极，所述第1电极包括：第1导电层；以及与所述第1导电层相接地形成的第2导电层，所述第1导电层包含第1金属来作为主要成分，所述第2导电层包含比所述第1金属更容易被氧化的第2金属，所述第2导电层包含氧原子，所述第2导电层中的所述氧原子的最大浓度位于比所述第2导电层的膜厚方向的中央靠与所述半导体基板相反的一侧处。