[发明专利]受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置在审
| 申请号： | 201480058890.X | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105745765A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 藤本直树 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/12 | 分类号： | H01L31/12;G01J1/02;H01L33/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的受光发光元件(1)具备：一导电型的半导体基板(2)；具有层叠在半导体基板(2)的上表面的多个半导体层的发光元件(3a)；在半导体基板(2)的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区域(32)的受光元件(3b)；和配置在半导体基板(2)的上表面并且成为受光元件(3b)的电极的第1电极焊盘(33A)，一导电型的半导体基板(2)中的杂质浓度是第1电极焊盘(33A)的正下方的区域高于其他区域。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 以及 使用 传感器 装置 | ||
【主权项】：
一种受光发光元件，其特征在于，具备：一导电型的半导体基板；发光元件，其具有层叠在该半导体基板的上表面的多个半导体层；受光元件，其在所述半导体基板的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区域；和第1电极焊盘，其配置在所述半导体基板的上表面，并且成为所述受光元件的电极，所述一导电型的半导体基板中的杂质浓度是所述第1电极焊盘的正下方的区域高于其他区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
