[发明专利]对锗层进行热处理的半导体基板的制造方法及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480059398.4 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105706218B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 鸟海明;李忠贤;西村知纪 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，在700℃以上对具有1×1016cm‑3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理的工序。或者一种半导体基板的制造方法，其包括在还原性气体气氛中，对具有1×1016cm‑3以上的氧浓度的锗层(30)进行热处理以使所述氧浓度减小的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 进行 热处理 半导体 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板，其特征在于，具备硅的组成比为10％以下的单晶锗层，所述锗层的距离表面1μm处的氧浓度低于1×1016cm‑3且低于距离所述表面5μm处的氧浓度，而且所述锗层的距离表面5μm处的氧浓度为1×1016cm‑3以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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