[发明专利]用于非易失性RAM差错重映射的方法和装置在审
| 申请号： | 201480059917.7 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN105723344A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | D·T·程;J·P·金;S·H·康;T·金 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10;G06F12/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包括非易失性单元阵列和重映射器的存储器模块。页映射表被存储在非易失性单元阵列中，并包括旧页地址至新页地址的映射。重映射器被配置成将参引旧页地址的存储器操作引导至该旧页地址所映射到的新页地址。该映射在存储器单元被确定为处于故障状态时被创建。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性 ram 差错 映射 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：当处理器执行读操作以读取非易失性存储器中的页时检测所述非易失性存储器的存储器单元中的差错，所述页具有页地址并包括所述存储器单元；在所述非易失性存储器的表格中存储具有所述存储器单元的存储器位置以及关于所述存储器单元的检测到的差错的累积数目的条目；以及倘若检测到的差错的累积数目超过预定阈值，则将参引所述页地址对所述非易失性存储器的存储器操作引导至所述非易失性存储器中的新页地址。
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