[发明专利]金属氧化物半导体膜、薄膜晶体管、显示装置、图像传感器及X射线传感器有效
| 申请号： | 201480060668.3 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105706243B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 高田真宏;田中淳;铃木真之 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘文海 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为DI(atoms/cm3)，且将膜中的氢浓度设为DH(atoms/cm3)时，满足以下关系式(1)：0.1≤DH/DI≤1.8 (1)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 显示装置 图像传感器 射线 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体膜，其至少含有铟作为金属成分，通过X射线反射率法测定的平均膜密度为6g/cm3以上，其中，在将膜中的铟浓度设为DI、且将膜中的氢浓度设为DH时，满足以下关系式(1)，DI和DH的单位为atoms/cm3，0.1≤DH/DI≤1.8(1)。
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