[发明专利]DLC覆膜的成膜方法

摘要

[课题]本发明能够无需恒温装置之类的大型设备、腔室内的气体压力为低压时成膜速度也不下降地制造硬度及密合性优异的DLC覆膜。[解决手段]本发明提供DLC覆膜的成膜方法，其为通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法，将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压，作为供给于腔室内的成膜气体使用乙炔气体或甲烷气体，并且对于腔室内的气体的总压，在使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下，使用乙炔气体的情况下设为0.3Pa以上且3Pa以下，前述偏置电压设为0.9kV以上且2.2kV以下。

主权项

1.一种DLC覆膜的成膜方法，其为通过仅向基材施加电压，使腔室内的气体等离子体化，通过等离子体CVD法在基材上形成DLC覆膜的成膜方法，将使用直流脉冲电源施加于基材的电压设为偏置电压、作为供给至腔室内的成膜气体，使用乙炔气体或甲烷气体、并且，对于腔室内的气体的总压，使用甲烷气体的情况下设为0.5Pa以上且3Pa以下、使用乙炔气体的情况下设为0.5Pa以上且1Pa以下，所述偏置电压在使用甲烷气体的情况下设为0.9kV以上且1.2kV以下，在使用乙炔气体的情况下设为1.2kV以上且1.8kV以下。