[发明专利]具有发射红光磷光体的LED封装

摘要

用于制造包含颜色稳定的式I的Mn⁴⁺掺杂的磷光体的LED照明装置的方法包括在LED芯片表面上形成聚合物复合材料层，所述聚合物复合材料层包含式I的磷光体的第一颗粒群和第二颗粒群并具有横过其厚度在锰浓度方面变化的分级组成；A_x(M,Mn)F_y (I)，其中A为Li、Na、K、Rb、Cs、NR₄或其组合；M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；R为H、低级烷基或其组合；_X为[MF_y]离子的电荷的绝对值；且y为5、6或7。第一颗粒群具有比第二颗粒群更低的锰浓度，且所述聚合物复合材料层中锰浓度的变化范围从聚合物复合材料层的接近LED芯片的区域中的最小值到与LED芯片相对的区域中的最大值。

主权项

1.用于制造LED照明装置的方法，所述LED照明装置包含式I的Mn4+掺杂的复合物氟化物磷光体，Ax(M，Mn)Fy   (I)所述方法包括在LED芯片表面上形成聚合物复合材料层，所述聚合物复合材料层包含式I的Mn4+掺杂的复合物氟化物磷光体的第一颗粒群和第二颗粒群；其中，所述聚合物复合材料层具有横过其厚度在锰浓度方面变化的分级组成；第一颗粒群具有比第二颗粒群更低的锰浓度；且所述聚合物复合材料层中锰浓度的变化范围从聚合物复合材料层的接近LED芯片的区域中的最小值到与LED芯片相对的区域中的最大值；其中，A为Li、Na、K、Rb、Cs、NR4或其组合；M为Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合；R为H、低级烷基或其组合；x为[MFy]离子的电荷的绝对值；且y为5、6或7。