[发明专利]用于OLED装置的纳米结构有效

专利信息
申请号: 201480061278.8 申请日: 2014-10-20
公开(公告)号: CN105706242B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 迈克尔·本顿·弗里;马丁·B·沃克;谢尔盖·拉曼斯基;奥勒斯特尔·小本森 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 顾丽波;井杰
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开描述了使用纳米结构化叠层转印膜采用层合技术制造具有纳米结构化固体表面的OLED的方法。所述方法涉及膜、层或涂层的转印和/或复制,以便直接在光敏光学耦合层(pOCL)上形成纳米结构化表面,所述纳米结构化表面与例如顶部发射有源矩阵OLED(AMOLED)装置中的OLED的所述发射表面接触。随后使所述pOCL层固化以形成光学耦合层(OCL)并移除所述纳米结构化膜工具,从而得到纳米结构化OLED。
搜索关键词: 用于 oled 装置 纳米 结构
【主权项】:
1.一种制造OLED装置的方法,所述方法包括:将光学耦合层(OCL)前体涂覆在OLED阵列的顶部表面上,形成平坦化的OCL前体表面;将转印膜层合至所述OCL前体表面上,所述转印膜包括纳米结构化模板膜和纳米结构化转印层,使得所述纳米结构化转印层的平坦外表面接触所述OCL前体表面,其中所述转印膜包括嵌入式纳米结构化表面;使所述OCL前体聚合以形成所述OCL并将所述纳米结构化转印层的所述平坦外表面粘结到所述OCL;以及将所述纳米结构化模板膜从所述纳米结构化转印层移除。
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