[发明专利]SiC单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201480061507.6 | 申请日： | 2014-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105705685A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 楠一彦;龟井一人 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造方法，其为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其即使使用石墨坩埚、也可以使掺杂有Al的SiC单晶生长。本实施方式的制造方法包括下述工序：在石墨坩埚内生成Si-C溶液的工序；和使Si-C溶液与SiC晶种接触，使SiC单晶在SiC晶种上生长的工序，Si-C溶液以满足式(1)的范围含有Si、Al和Cu，Si-C溶液的余量由C和杂质组成。式(1)中，[Si]、[Al]和[Cu]分别表示Si、Al和Cu的摩尔％含量。0.03<[Cu]/([Si]+[Al]+[Cu])≤0.5(1)。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造方法，其为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，所述制造方法包括下述工序：在石墨坩埚内生成Si‑C溶液的工序，所述Si‑C溶液以满足下述式(1)的范围含有Si、Al和Cu，余量由C和杂质组成；和使所述Si‑C溶液与SiC晶种接触，使SiC单晶在所述SiC晶种上生长的工序，0.03<[Cu]/([Si]+[Al]+[Cu])≤0.5 (1)其中，[Si]、[Al]和[Cu]分别表示Si、Al和Cu的以摩尔％表示的含量。
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