[发明专利]装配薄膜光电子器件的工艺

摘要

公开了一种装配薄膜光电子器件的工艺。所述工艺可包括提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区。所述工艺可进一步包括提供主基板和在所述器件区上沉积第一金属层及在所述主基板上沉积第二金属层。所述工艺可进一步包括通过在接合温度下将所述第一和第二金属层压在一起使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的玻璃化转变温度和所述主基板的熔化温度中的较低者。

主权项

一种装配薄膜光电子器件的工艺，包括：提供生长结构，所述生长结构包括具有生长表面的晶圆、牺牲层和器件区，其中所述牺牲层被置于所述晶圆与所述器件区之间，并且其中所述器件区具有最远离所述晶圆的表面；提供主基板，其中所述主基板包含聚合物材料；在所述器件区的表面上沉积第一金属层；在所述主基板上沉积第二金属层；通过在接合温度下将所述第一金属层和所述第二金属层压在一起来使所述第一金属层接合至所述第二金属层，其中所述接合温度高于室温且低于所述主基板的玻璃化转变温度和所述主基板的熔化温度中的较低者。