[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201480062289.8 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105765800B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 田才邦彦;仲山英次;中山雄介;冨谷茂隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/32;H01S5/343;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉;张雪梅 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种发光元件，所述发光元件包括层合结构，所述层合结构包括具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层、形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间并且包括有源层的第三化合物半导体层。所述第二化合物半导体层的第二端面和所述第三化合物半导体层的第三端面相对于所述层合结构的虚拟垂直方向形成为相应的第二角度θ2和第三角度θ3并且满足以下关系：“θ3的绝对值等于或大于0度且小于θ2的绝对值”。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，所述发光元件包括：层合结构，所述层合结构包括具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层、以及形成在所述第一化合物半导体层和所述第二化合物半导体层之间并且包括有源层的第三化合物半导体层，其中，所述第二化合物半导体层的第二端面和所述第三化合物半导体层的第三端面相对于所述层合结构的虚拟垂直方向形成为相应的第二角度θ2和第三角度θ3并且满足以下关系：“θ3的绝对值等于或大于0度且小于θ2的绝对值”。
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