[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 201480062816.5 | 申请日： | 2014-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105723496B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 梶原雄二 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/58;H01L21/3065;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种能够在较清洁的状况下传送基板的、用于冷却基板的基板处理装置和方法。作为本发明的基板处理装置的实施方式的基板冷却装置(100)设置有室(101)、提供冷却的冷却单元(109、112)、基板保持件(103)和遮蔽件(111)，基板保持件(103)具有用于将基板(S)载置于所述室的基板载置面(103a)并且基板保持件(103)被冷却单元冷却，遮蔽件(111)具有围绕所述室内的基板载置面的侧方的侧壁部并且遮蔽件(111)被冷却单元冷却。此外，在遮蔽件的内表面附近布置有遮蔽件加热器(116)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其包括：室，所述室的内部能够被抽真空；基板保持件，所述基板保持件设置在所述室的内部，并且所述基板保持件包括能够冷却基板的基板载置面；遮蔽件，所述遮蔽件设置在所述室的内部并且包括侧壁部，所述侧壁部被设置成围绕所述基板载置面的侧方；遮蔽件冷却单元，所述遮蔽件冷却单元被构造成冷却所述遮蔽件；和控制装置，所述控制装置被构造成在所述基板载置于所述基板载置面之前控制所述遮蔽件冷却单元低温冷却所述遮蔽件从而能够捕获气体分子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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