[发明专利]硅锗FinFET形成在审
| 申请号： | 201480062871.4 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105745757A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)中的鳍的方法包括：暴露耦合到FinFET的基板的单晶鳍结构。该单晶鳍结构具有第一材料。该方法进一步包括：在第一温度将第二材料注入所暴露的单晶鳍结构。第一温度降低单晶鳍结构的非晶化。经注入单晶鳍结构包括至少20％的第一材料。该方法还包括在第二温度对经注入鳍结构进行退火。第二温度减少经注入鳍结构中的晶体缺陷以形成鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 硅锗 finfet 形成 | ||
【主权项】：
一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)中的鳍的方法，包括：暴露耦合到所述FinFET的基板的单晶鳍结构，所述单晶鳍结构具有第一材料；在降低所述单晶鳍结构的非晶化的第一温度将第二材料注入所述单晶鳍结构的暴露部分，经注入单晶鳍结构包括至少20％的第一材料；以及在减少经注入鳍结构中的晶体缺陷的第二温度对经注入鳍结构进行退火以形成所述鳍。
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