[发明专利]用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化有效
申请号: | 201480062984.4 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN105745745B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | R·L·布里斯托尔;K·林;K·J·辛格;A·M·迈尔斯;R·E·申克尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;韩宏 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 说明了用于后段工艺(BEOL)互连件的借助光桶的自对准过孔和插塞图案化。在示例中,用于集成电路的互连结构包括被布置在衬底上之上的互连结构的第一层,所述第一层具有由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅。集成电路还包括被布置在互连结构的第一层上之上的互连结构的第二层。所述第二层包括由沿第二方向的交替的金属线和电介质线构成的第二光栅,第二方向垂直于第一方向。 | ||
搜索关键词: | 用于 后段 工艺 beol 互连 借助 对准 图案 | ||
【主权项】:
1.一种用于集成电路的互连结构,所述互连结构包括:所述互连结构的第一层,所述互连结构的所述第一层被布置在衬底之上,所述第一层包括由沿第一方向的交替的金属线和电介质线构成的第一光栅,其中,所述电介质线的最高表面高于所述金属线的最高表面;以及所述互连结构的第二层,所述互连结构的所述第二层被布置在所述互连结构的所述第一层之上,所述第二层包括由沿第二方向的交替的金属线和电介质线构成的第二光栅,所述第二方向垂直于所述第一方向,其中,所述电介质线的最低表面低于所述第二光栅的金属线的最低表面,而所述电介质线的最高表面高于所述第二光栅的金属线的最高表面,其中,所述第二光栅的电介质线与所述第一光栅的电介质线重叠并且接触,但与所述第一光栅的电介质线不同;以及电介质材料区域,所述电介质材料区域被布置在所述第一光栅的金属线与所述第二光栅的金属线之间,并且与所述第一光栅的电介质线的上部部分和所述第二光栅的电介质线的下部部分处于相同平面,所述电介质材料区域包括交联的可光分解材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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