[发明专利]外延硅片和外延硅片的制造方法有效
| 申请号： | 201480063950.7 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105723497B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 鸟越和尚;小野敏昭;中村浩三 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/24;C30B25/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马倩;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 外延硅片的制造方法具备如下工序：使外延膜在硅片的表面生长的外延膜生长工序（步骤S3）、以及将外延硅片的温度从使外延膜生长时的温度开始下降的降温工序（步骤S4），降温工序中控制外延硅片的降温速率，以使外延膜中的不包括该外延膜的表面在内的位置的氧浓度达到2.5×1016atoms/cm3以上。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 硅片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.外延硅片的制造方法，其为在硅片的表面设置有外延膜的外延硅片的制造方法，其特征在于，具备如下工序：使所述外延膜在所述硅片的表面生长的外延膜生长工序、以及将所述外延硅片的温度从使所述外延膜生长时的温度开始下降的降温工序，所述降温工序中，根据所述外延膜的膜厚和所述硅片的氧浓度控制所述外延硅片的降温速率，以使所述外延膜中的不包括该外延膜的表面在内的位置的氧浓度达到2.5×1016atoms/cm3（ASTM F‑121,1979）以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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