[发明专利]异质半导体材料集成技术

摘要

公开了用于在初始衬底上异质外延生长晶格失配的半导体材料层，并将该层的无缺陷部分转移到处理晶圆或用于集成的其它适当的衬底的技术。根据某些实施例，转移可能引起在处理晶圆/衬底上存在岛状氧化物结构，这些岛状氧化物结构均具有嵌入其上部表面内的晶格失配的半导体材料的无缺陷岛。每个无缺陷半导体岛都可以具有一个或多个晶体刻面边缘，并且连同其伴随的氧化物结构，可以提供用于集成的平坦表面。在某些情形下，第二、不同的半导体材料层可以异质外延生长在处理晶圆/衬底上方，以填充经转移的岛周围的区域。在某些其它情形下，可以同质外延生长处理晶圆/衬底自身，以填充经转移的岛周围的区域。

主权项

1.一种集成电路，包括：衬底；氧化物结构，所述氧化物结构形成在所述衬底的部分上方并彼此完全分隔开；以及晶格失配的半导体结构，所述晶格失配的半导体结构形成在所述氧化物结构上并且嵌入在所述氧化物结构的上部表面内，其中，所述晶格失配的半导体结构包括晶体刻面边缘。