[发明专利]使用预测滤波器在基板抛光期间对抛光速率进行调整有效
申请号: | 201480064564.X | 申请日: | 2014-11-12 |
公开(公告)号: | CN105765707B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | D·J·本韦格努;B·切里安;S·德汉达帕尼;H·Q·李 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 将取决于基板的区域的厚度的测量表征值输入到第一预测滤波器中。第一预测滤波器产生经滤波的表征值。将测量表征速率输入到第二预测滤波器中,测量表征值以该测量表征速率变化。第二预测滤波器产生基板的区域的经滤波的表征速率。基于在基板的抛光工艺期间的第一时间处或第一时间前作出的原位测量来确定测量表征值和测量表征速率。基于经滤波的表征值和经滤波的表征速率来确定将在第一时间后且在第二随后时间前抛光基板的区域使用的期望表征速率。 | ||
搜索关键词: | 使用 预测 滤波器 抛光 期间 速率 进行 调整 | ||
【主权项】:
1.一种存在于一计算机可读介质上的计算机程序产品,所述计算机程序产品包含指令,所述指令用于使得处理器执行以下操作:将取决于基板的区域的厚度的测量表征值输入到第一预测滤波器中,基于所述基板的抛光工艺期间的第一时间处或第一时间前作出的原位测量来确定所述测量表征值;将测量表征速率输入到第二预测滤波器中,所述测量表征值以所述测量表征速率变化,基于所述原位测量来确定所述测量表征速率;在抛光期间的多个周期的每个周期在所述第一预测滤波器中产生经滤波的表征值,所述经滤波的表征值是基于所述周期的所述测量表征值和所述周期的预测表征值确定的,所述周期的所述预测表征值是基于前一周期的经滤波的表征值和前一周期的经滤波的表征速率确定的,以及在所述第二预测滤波器中且与所述第一预测滤波器并行地产生经滤波的表征速率,所述经滤波的表征速率是基于所述周期的测量表征速率和所述周期的预测表征速率确定的,所述周期的所述预测表征速率是基于前一周期的预测表征速率和相对于前一周期的控制参数的变化确定的;以及基于所述经滤波的表征值和所述经滤波的表征速率来确定将在所述第一时间后且在第二随后时间前抛光所述基板的所述区域所使用的期望表征速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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