[发明专利]压电薄膜及其制造方法以及压电元件有效
| 申请号： | 201480064741.4 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105765751B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 梅田圭一;本多淳史;秋山守人;西久保桂子;长濑智美 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;C23C14/34;H01L41/09;H01L41/113;H01L41/316;H03H3/02;H03H9/17;H04R17/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种由含有钪以外的廉价元素且压电常数得到提高的氮化铝构成的压电薄膜。所述压电薄膜是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，其中，相对于上述镁100原子％，含有上述铌31～120原子％，上述镁和铌的合计含量相对于上述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 及其 制造 方法 以及 元件 | ||
【主权项】：
1.一种压电薄膜，是由含有镁和铌的氮化铝构成的压电薄膜，所述铌包含5价铌和4价铌，相对于所述镁100原子％，含有所述铌31～120原子％，所述镁和铌的合计含量相对于所述镁、铌及铝的含量的总和在10～67原子％的范围。
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